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ISSN 0544-1269 (Print)
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Palavras-chave Förster effect bipolar transistor diagnostics etching gas temperature ionization kinetics magnetron sputtering mechanism memristor modeling molecular beam epitaxy plasma polymerization powerful LDMOS quantum dot reduced electric field strength resistive switching silicon silicon-on-insulator technology specific power
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Volume 54, Nº 4 (2025)

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Volume 54, Nº 4 (2025)

Página principal > Pesquisa > Informaçao sobre o Autor

Informaçao sobre o Autor

Masalsky, N. V.

Edição Seção Título Arquivo
Volume 53, Nº 3 (2024) MODELING Simulation of silicon conical field effect GAA nanotransistors with stack SiO2/HfO2 dielectric of gate
Volume 53, Nº 5 (2024) INSTRUMENTATION Temperature dependences of the breakdown voltage of a high-voltage LDMOS transistor
Volume 54, Nº 2 (2025) NANOTRANSISTORS Effect of boundary roughness on the variability of the I-V data of silicon field-effect GAA nanotransistors
 

 

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